由于半导体的特性受环境温度的影响较严重，必须对霍尔元件的特性进行( )补偿。

必须对霍尔元件的特性进行温度补偿。

环境温度对半导体的特性有显著影响，包括载流子浓度、迁移率和电阻率等参数，这些参数都是温度的函数8。霍尔元件作为半导体性质的器件，其特性参数如霍尔电动势、输入电阻等也会受到温度变化的影响48。因此，为了确保霍尔元件在不同温度下都能准确测量磁场强度，必须进行温度补偿。温度补偿方案可以减少温度变化对霍尔元件性能的影响，提高测量的准确性和可靠性。4