HV-H3TRB常见失效模式

HV-H3TRB测试是一种高压高湿高温反偏测试，主要用于评估功率器件在极端温湿度条件下的可靠性和稳定性。4 该测试能够揭示器件在实际应用中可能遇到的失效模式，对于提高产品质量和可靠性至关重要。5 下面将详细讨论HV-H3TRB测试中常见的几种失效模式。

😊高压高湿高温反偏测试(HV-H3TRB)失效模式

漏电流增加

• 漏电流增加：在HV-H3TRB测试中，如果器件的漏电流超过规定的限值或初始值的10倍，即可认为器件失效。3 漏电流的增加可能是由于器件内部结构的退化或损坏，如氧化层的破裂或半导体材料的劣化。这种失效模式对器件的长期稳定性和可靠性构成严重威胁。

门极电流增加

• 门极电流增加：门极电流（IGS）的增加也是HV-H3TRB测试中常见的失效模式之一。3 门极电流的异常增加可能是由于门极氧化层的退化或门极结构的损坏引起的。这种失效模式可能导致器件的门极控制能力下降，进而影响器件的整体性能。

导通电阻增加

• 导通电阻增加：在HV-H3TRB测试中，如果器件的导通电阻（RDS(on)）增加超过老化前10%，也被认为是失效。3 导通电阻的增加可能是由于器件内部结构的退化，如半导体材料的劣化或金属化层的腐蚀。这种失效模式可能导致器件的功耗增加，影响器件的热稳定性和可靠性。

阈值电压漂移

• 阈值电压漂移：阈值电压（VTH）的漂移也是HV-H3TRB测试中需要关注的失效模式之一。3 阈值电压的漂移可能是由于器件内部结构的退化或环境因素（如湿度）的影响引起的。这种失效模式可能导致器件的开关特性发生变化，影响器件的稳定性和可靠性。

边缘端接失效

• 边缘端接失效：在HV-H3TRB测试中，边缘端接的失效也是一个重要的失效模式。6 边缘端接的退化可能是由于封装材料的劣化或边缘端接设计的不合理引起的。这种失效模式可能导致器件的电气性能下降，甚至导致器件的完全失效。

总结与建议

HV-H3TRB测试能够揭示功率器件在极端温湿度条件下的多种失效模式，对于提高器件的可靠性和稳定性具有重要意义。针对上述失效模式，建议采取以下措施：

1. 优化器件的内部结构设计，提高器件的耐湿性和耐热性。
2. 选择合适的封装材料，提高器件的耐湿性和耐热性。
3. 加强器件的边缘端接设计，提高器件的机械稳定性和电气稳定性。
4. 定期进行HV-H3TRB测试，及时发现和解决器件的潜在问题，提高器件的可靠性和稳定性。