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1周前
找一些关于氧化铟镓锌做有源层的晶体管的相关文章
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深入研究一些
- 铟镓锌氧化物(IGZO)薄膜因其高迁移率和高透过率被广泛应用于薄膜晶体管(TFT)的有源层。1
- 氢元素在IGZO薄膜晶体管中的存在形式、表征方法及其对器件性能的影响已有综述研究。2
- 随着显示技术的发展，IGZO因其高迁移率和良好的均一性，成为新一代氧化物薄膜晶体管的有源层材料。35
- 为避免光照影响，IGZO TFTs需增加遮光金属层，相关研究已探讨了遮光金属栅极悬浮时IGZO TFT的输运特性。6
- 替代非晶硅用于薄膜晶体管(TFT)和大面积电子设备的研究中，IGZO的性能改进和测试是研究重点。7
- 基于IGZO的纸基柔性薄膜晶体管器件研究，使用可降解的纳米纤维素纸作为柔性基板，展示了IGZO在柔性电子器件中的应用潜力。8
- 细野秀雄发明的IGZO薄膜晶体管(TFTs)因其良好的电学性能和大面积低温制备的优点受到关注。9
- 通过形成晶态IGZO替代非晶IGZO有源层，所制备的TFT具有较好的均匀性。11
- 为提高氧化物薄膜晶体管的器件性能，研究了以掺In氧化锌(IZO)为有源层的薄膜晶体管(IZO TFT)。1213
- 王守国教授团队在柔性氧化铟镓锌电子器件方向取得新进展，相关成果发表在国际期刊上。14
- 采用ITO作为接触中间层降低金属接触势垒高度，获得低至278Ω·μm的接触电阻。15
你觉得结果怎么样？