常见半导体带隙

• 常见半导体的带隙范围通常在 0 至 4.9 eV 之间。

半导体带隙范围

• Ag2O：1.2 eV
• BaTiO3：3.3 eV
• CdO：2.2 eV
• Ce2O3：2.4 eV
• CoTiO3：2.25 eV
• CuO：1.7 eV
• CuTiO3：2.99 eV
• Fe2O3：2.2 eV
• FeOOH：2.6 eV
• Ga2O3：4.8 eV
• Hg2Nb2O7：1.8 eV
• In2O3：2.8 eV
• KTaO3：3.5 eV
• LaTi2O7：4 eV
• LiTaO3：4 eV
• MnO：3.6 eV
• MnTiO3：3.1 eV
• Nd2O3：4.7 eV
• NiTiO3：2.18 eV
• PbFe12O19：2.3 eV
• Pr2O3：3.9 eV
• Sm2O3：4.4 eV
• SnO2：3.5 eV
• Ta2O5：4 eV
• TiO2：3.2 eV
• V2O5：2.8 eV
• Yb2O3：4.9 eV
• ZnO：3.2 eV
• ZrO2：5 eV

其他半导体带隙

• AgAsS2：1.95 eV
• As2S3：2.5 eV
• Ce2S3：2.1 eV
• CoS2：0 eV
• CuS：0 eV
• CuS2：0 eV
• CuFeS2：0.35 eV
• CuInS2：1.5 eV
• Dy2S3：2.85 eV
• FeS2：0.95 eV
• FeAsS：0.2 eV
• HfS2：1.13 eV
• HgSb4S8：1.68 eV

这些数据展示了不同半导体材料的带隙宽度，对于理解和应用这些材料在电子和光电领域具有重要意义。135689