FinFet器件的原理和研究进展

FinFET器件是一种新型多栅极MOS器件，具有出色的短沟道效应控制和高电流驱动能力。

原理

FinFET，全称为Fin Field-Effect Transistor，是一种三维结构的晶体管，其主要特点是具有立体的“鳍”形状通道。这种设计有效控制了短沟道效应，提高了器件的性能和可靠性1。

研究进展

• 工业应用：FinFET技术已被工业界采用，成为VLSI的基本器件。英特尔是首家发布22nm FinFET技术量产的公司1。
• 技术发展：三星、英特尔和台积电等主要公司都在积极推进FinFET技术的发展。三星计划推出10纳米FinFET技术，而英特尔和台积电也分别有10纳米和7纳米FinFET技术的计划1。
• 学术关注：FinFET自提出以来，吸引了学术界的广泛关注，并有持续的研究进展，包括实验研究和解析模型的建立1。
• 新一代技术：随着3/2Nm时代的到来，GAA（Gate-All-Around）晶体管作为FinFET的后续技术，已经开始受到关注。三星的MBCFET是GAA结构晶体管的一种，预示着进一步的性能提升2。
• 摩尔定律遵循：FinFET技术的发展被视为遵循摩尔定律，继续推动CMOS技术发展的关键1。

综上所述，FinFET器件因其卓越的性能和对短沟道效应的控制，已成为现代集成电路技术的关键组成部分，并且随着技术的进步，其研究和应用前景广阔。