氟化氩（ArF）准分子激光光刻技术自90年代初以来发展迅速，广泛应用于90nm以下节点半导体量产。

氟化氩（ArF）准分子激光光刻技术自90年代初以来，已经成为半导体制造领域的关键技术之一。这种技术以其193纳米的波长，成功地将集成电路的制造线宽从40多年前的2~3微米缩小到更精细的尺寸，广泛应用于90纳米及以下节点的半导体量产中12356。

ArF准分子激光光刻技术的发展，得益于多方面的技术进步和创新。其中包括主振-功率再生放大（MOPRA）结构等关键技术的改进，这些技术提高了准分子激光的性能，使得更小的特征尺寸能够在芯片上被精确复制25。此外，ArF浸没式光刻技术也已经发展到45纳米节点的量产阶段，进一步推动了半导体工艺的微型化3。

为了满足更高性能的需求，研究人员还开发了混合型ArF准分子激光器，这种激光器能够在193纳米处提供窄线宽和高相干度，对于干涉光刻和其他应用至关重要4。同时，双图形光刻（DPL）技术被认为是进一步推动光刻技术发展的重要方向之一3。

在材料方面，高反射薄膜技术的发展，特别是氟化物材料的热蒸发工艺，提高了激光损伤阈值，这对于提高光刻机的耐用性和可靠性具有重要意义7。深入理解ArF准分子激光系统的运转机制，利用一维流体模型等方法，为优化系统设计提供了理论基础和指导方向8。

总之，ArF准分子激光光刻技术在光刻、工业制造、医疗和科研领域的应用日益广泛，其波长、线宽、能量与剂量等指标在光刻领域具有明显优势，为光刻机带来了更高的性能和更精细的加工能力9。随着技术的不断进步，预计ArF准分子激光光刻技术将继续在半导体制造领域发挥关键作用。