功率芯片中场板的定义
功率芯片中场板是一种用于改善功率器件性能的边缘终端技术。它通过改变表面电势分布，使曲面结的曲率半径增大，从而抑制表面电场的集中，提高器件的击穿电压。场板技术是最简单的边缘终端技术之一，并且已经成功应用于各种类型的硅功率器件，包括二极管、MOSFETs和IGBTs。场板通常由金属接触延伸构成，并且可以分为金属性场板（MFP, Metal Field Plate）和电阻性场板（RFP, Resisitive Field Plate）。电阻性场板主要包括多晶硅电阻场板和半绝缘多晶硅（SIPOS）电阻场板。场板还可以分为偏置场板和浮空场板，其中偏置场板的基本结构由结接触构成。场板的作用是将一部分原本由N耗尽区正电荷指向表面的电场线转向场板，降低主结处的电场峰值，缓解电场集中的现象，同时展宽耗尽区125。
场板技术1 | 功率器件边缘技术 场板技术是用于Si功率器件的边缘终端技术，包括二极管、MOSFETs和IGBTs。 |
场板工作原理2 | 改变电势分布 场板通过改变表面电势分布，增大曲率半径，抑制电场集中，提高击穿电压。 |
场板分类2 | 金属性与电阻性场板 场板分为金属性场板MFP和电阻性场板RFP，包括多晶硅电阻场板和SIPOS电阻场板。 |
场板作用5 | 降低电场峰值 场板将部分电场线转向，降低主结处的电场峰值，缓解电场集中现象。 |
功率器件集成 功率IC集成控制电路、接口电路及保护电路等，集成功率器件的IC。 | |
功率芯片市场6 | 功率芯片重要性 功率芯片是中国半导体产业崛起的突破口，具有重要应用和市场潜力。 |
场板技术1 | 功率器件边缘终端技术 场板技术是用于Si功率器件的边缘终端技术，通过金属接触等手段改变电势分布，提高击穿电压。 |
金属性场板MFP(Metal Field Plate)2 | 金属性场板 一种场板，通过金属接触改变电势分布，抑制电场集中，提高器件性能。 |
电阻性场板RFP(Resistive Field Plate)2 | 电阻性场板 包括多晶硅电阻场板和SIPOS电阻场板，用于改变电势分布，增强功率器件性能。 |
偏置场板FP(Floating Plate)2 | 偏置场板 一种场板结构，通过结接触实现电势分布的改变，增强功率器件的击穿电压。 |
场板1 | 功率器件技术 场板技术是用于Si功率器件的边缘终端技术，通过改变电势分布来提高击穿电压。 |