简述霍尔电势建立的过程。

霍尔电势的建立过程涉及到霍尔效应的原理和应用。霍尔效应是在1879年由埃德温·赫伯特·霍尔发现的一种电磁效应，它在导体和半导体材料中广泛存在1。当电流通过一个导体或半导体材料时，如果该材料被置于一个垂直于电流方向的磁场中，电荷载流子（如电子或空穴）会受到洛伦兹力的作用而发生偏转24。这种偏转导致导体的两侧积累相反电荷，从而在导体的两侧产生一个垂直于电流和磁场方向的电势差，这个电势差就是霍尔电势34。

霍尔电势的大小取决于几个因素，包括霍尔常数（Rh），它与半导体材料的性质有关；偏置电流（IC），即通过霍尔元件的电流；磁场强度（B）；以及半导体材料的厚度（d）7。在实际应用中，通过测量霍尔电势，可以推断出材料中的载流子浓度、磁场的强度或电流的大小1。

总结来说，霍尔电势的建立过程是：在电流通过的导体上，垂直于电流方向施加磁场，导致电荷载流子受到洛伦兹力偏转，进而在导体两侧产生电势差，这个电势差即为霍尔电势4。