源端宽W，漏端宽3W,沟道长L的MOSFET的IV方程

MOSFET的I/V特性方程

对于给定的源端宽$ W $，漏端宽$ 3W $，沟道长$ L $的NMOSFET，其I/V特性方程可以由以下两个主要区域的公式描述：

1. 三极管区（非饱和区）：当 $ V_{DS} < (V_{GS} - V_{TH}) $ 时，漏极电流 $ I_D $ 与 $ V_{GS} $ 和 $ V_{DS} $ 的关系可以表示为： $ I_D = \frac{\mu_n C_{ox} W}{L} \left[ (V_{GS} - V_{TH}) V_{DS} - \frac{1}{2} V_{DS}^2 \right] $ 其中，$ \mu_n $ 是电子迁移率，$ C_{ox} $ 是栅氧电容，$ V_{GS} $ 是栅源电压，$ V_{DS} $ 是漏源电压，$ V_{TH} $ 是阈值电压。

2. 饱和区：当 $ V_{DS} \geq (V_{GS} - V_{TH}) $ 时，漏极电流 $ I_D $ 达到饱和，不再随 $ V_{DS} $ 的增加而增加，其表达式为： $ I_D = \frac{\mu_n C_{ox} W}{2L} \left( V_{GS} - V_{TH} \right)^2 $

这些方程描述了MOSFET在不同操作条件下的电流-电压行为，是模拟集成电路设计中的重要基础。16