This easily achievable limit efficiency means that minor strains induced by the substrate in the experiment will not affect the realization of the limit STH efficiency, significantly increasing the likelihood of successfully fabricating the γ-SnS/hBN heterojunction with this limit efficiency in prac- tice.帮我找一下能佐证这个说法的参考文献

在您提供的参考文献中，4提到了通过应用应变设计具有优异光催化活性的稳定Z型蓝磷烯（BlueP）/γ-SnS异质结构。第一性原理计算表明，BlueP/γ-SnS异质双层是I型异质结，间……。这表明通过第一性原理计算，可以设计和预测异质结构的电子性质，包括在实验中可能受到基底诱导应变影响的异质结构。这支持了您提到的，即使存在微小的应变，也能实现高效率的异质结构的观点。4

参考文献1中提到的局域势调控对石墨烯/六方氮化硼异质结的能带结构及量子相变有何影响?

局域势调控对石墨烯/六方氮化硼异质结的能带结构及量子相变有显著影响。通过紧束缚方法的研究，发现在给定石墨烯层内禀自旋轨道耦合强度时，石墨烯层处于量子自旋霍尔态。这种调控可以改变异质结的电子结构，进而影响其量子相变。具体来说，局域势的调整能够引起能带结构的变化，这可能导致从正常绝缘态到量子自旋霍尔态的转变，这对于设计和优化基于石墨烯/六方氮化硼异质结的电子器件具有重要意义。1

参考文献2中提到的石墨烯/BN异质结构的稳定性与电子和传输性质有何关联?

石墨烯/BN异质结构的稳定性与其电子和传输性质紧密相关。研究表明，即使在富氮生长条件下，具有过量B原子的结构在能量上也比具有过量N原子的结构更稳定。这种稳定性的差异影响了异质结构的电子性质，如磁性能和带隙幅度。例如，仅具有一种键类型（BC或N-C）的石墨烯条纹表现出金属行为，而之字形取向的条纹表现出较大的磁矩。此外，石墨烯/BN边缘的键类型也影响了系统的输运性质，如I-V曲线显示，以C–N键和C–B键终止的石墨烯条交界处的系统表现出整流行为。这些发现揭示了异质结构的稳定性如何通过影响其电子和传输性质来决定其在电子器件中的潜在应用。2

参考文献4中提到的Z型蓝磷烯（BlueP）/γ-SnS异质结构的光催化活性是如何实现的?

Z型蓝磷烯（BlueP）/γ-SnS异质结构的光催化活性是通过构建I型异质双层实现的。第一性原理计算表明，这种异质结构能够有效促进光生电子-空穴对的分离，从而提高光催化效率。在BlueP/γ-SnS异质双层中，电子可以从BlueP转移到γ-SnS，而空穴则从γ-SnS转移到BlueP，这种定向的电子-空穴转移机制有助于提高光催化反应的效率。此外，通过应用应变设计，可以进一步优化异质结构的光催化性能，使其在光催化应用中表现出优异的活性。4

参考文献6中提到的二维异质结界面增强电子空穴对密度的机制是什么?

二维异质结界面增强电子空穴对密度的机制主要是通过界面处的电子结构调控实现的。研究表明，二维异质结中的界面能够通过改变电子和空穴的分布，增强电子空穴对的密度。这种增强效应可以有效地提升高次谐波辐射强度，对于人工调控材料电子结构具有重要意义。具体来说，界面处的电子结构变化可以导致电子和空穴在界面处的局部浓度增加，从而增强了电子空穴对的密度，这对于提高光电器件的性能具有积极作用。6

参考文献10中提到的二维范德华异质结构的优异传输特性是如何实现的?

二维范德华异质结构的优异传输特性是通过精确控制材料的堆叠和界面特性实现的。实验报告指出，由两个hBN覆盖层封装的原子薄InSe层制成的异质结构展现出了优异的传输特性。这种结构的载流子迁移率得到了显著提高，这主要归功于hBN覆盖层的有效封装，它不仅保护了InSe层免受环境影响，还通过减少散射中心和提高材料的结晶质量来优化电子传输。此外，范德华堆叠的方式允许不同二维材料之间的弱范德华相互作用，这有助于保持各自的电子特性，同时实现高效的电子传输。这些因素共同作用，使得二维范德华异质结构在电子器件中展现出卓越的传输性能。10