有哪些论文对二维材料WSeS进行了研究

在提供的参考资料中，有几篇论文对二维材料WSe2进行了研究。以下是对这些论文的概述：

1. 一篇论文通过常压化学气相沉积的方法，开发了一种调节生长条件的方法来获得大尺寸单原子层薄膜的WSe2和MoSe22。这种方法通过精确控制氢通量和前驱体与基底之间的距离，能够获得厚度约1nm的大尺寸单原子层薄膜，并且样品可以被粘合成700微米及以上尺寸的碎片。

2. 另一篇论文讨论了二维材料WSe2和GeSe2的制备及表征，强调了纳米材料因其量子尺寸效应、表面与界面效应、介电限域效应等，具备了异乎寻常的光学、热学、电学、磁学、催化和超导等性能3。

3. 一篇论文专注于二维二硒化钨(WSe2)，这是一种多功能半导体材料，因其独特的电子结构、出色的光子和催化性能而受到广泛关注4。论文还提到了WSe2的暗激子发射随着温度的升高而增强，这使得它非常有希望用于具有明亮发射的室温光电器件。

4. 电子科技大学基础与前沿研究院的夏娟研究员和王曾晖教授在Nature Physics期刊上发表了研究成果，研究了二维异质结的层间激子发光、电子能带结构等物理特性随压强变化的响应5。

5. 一篇论文主要研究了基于大面积全膜和单晶二硒化钨的材料制备及光电器件的应用，总结了WSe2研究的最新进展，包括结构、类型、形貌以及合成路线，电学、光学等性质，以及作为半导体在电子器件方面的应用6。

6. 一篇论文采用密度泛函理论和非平衡格林函数方法，对二维材料WSe2的声子、电子输运以及热电性能进行了第一性原理计算，发现单层WSe2是一个潜在的高性能热电材料7。

7. 一篇论文通过化学气相沉积(CVD)方法报告了双层和单层WSe2的生长机制研究，通过调整不同的生长参数，实现了在单层WSe2三角形域上的双层生长8。

8. 电子科技大学王曾晖、夏娟等在《SCIENCE CHINA Information Sciences》上发表了综述文章，回顾并展望了二维范德华异质结的材料和器件研究9。

9. 最后，电子科技大学课题组发表了首篇Nature Physics论文，深入探索了WSe2-MoSe2半导体异质结的高压调控研究10。

这些论文涵盖了WSe2材料的合成、性质、应用以及与其他材料的异质结研究，展示了WSe2在纳米电子学和催化领域的广泛应用潜力。