高交叉晶圆外延厚度

高精度测量外延层厚度

• 采用FTIR技术配合显微分析，可无损测量SiC外延层厚度1。
• 引入VMD-LSP算法提高FTIR测量精度，实现精确提取频率分量2。
• 外延层厚度测定在碳化硅生产中得到广泛应用，符合《GB/T 42905-2023》标准3。

外延层形成与特征

• 外延层是在单晶衬底上生长的新单晶层，与衬底晶相相同45。
• 外延层厚度通常为几微米，对半导体器件制作具有重要意义5。
• 通过调整生长条件，如碳硅比和生长温度，可减少外延层缺陷6。

外延层厚度均匀性改善

• 通过调整MOCVD系统转速和气流，改善外延层厚度均匀性9。
• 使用TMS-2000测量晶圆厚度分布，实现1nm精度的平整度测量8。

外延层在器件制作中的应用

• 外延层上制作器件为正外延，衬底上制作器件为反外延，外延层起支撑作用10。