SicMOSFET 功率循环

SiC MOSFET 功率循环概述

SiC MOSFET 功率循环试验是评估器件可靠性的重要手段。

功率循环试验目的

• 加速退化：通过重复通电升温和关断降温循环，加速器件退化过程。1

测试电路组成

• 旁路开关：AS，用于控制测试电路的旁路状态。
• 负载电流源：Iload，提供测试所需的电流。
• 被测器件：Q1_1～Qm_n，即SiC MOSFET。
• 支路二极管：D1～Dm，辅助测试电路。2

试验步骤关键

• 试验控制：确保器件在规定循环次数内经过规定温度范围。
• 温度测量：收集试验数据，监测结温。3

试验方法特点

• 沟道电压值：确定SiC MOSFET的沟道关断和导通电压值。
• 直流功率循环：设计方法通用化，便于实践工程师使用。45

技术挑战与分析

• 结温监测：准确的结温监测是评估试验结果的基本条件。
• 老化特性：探究老化特性对结温测试方法的影响。610

SiC MOSFET 应用

SiC MOSFET 以其高压、高频及高温特性，在高功率密度电力电子应用中成为首选。9