在重掺杂p型硅上有一层二氧化硅氧化层，上面生长一根纳米棒，在纳米棒两端镀上电极作为源漏极。将重掺杂的硅作为栅极（背栅结构）。固定栅压，测量该器件的输出特性曲线（Id-Vd），为何曲线是开口向上的抛物线

已完成理解「在重掺杂p型硅上有一层二氧化硅氧化层，上面生长一根纳米棒，在纳米棒两端镀上电极作为源漏极。将重掺杂的硅作为栅极（背栅结构）。固定栅压，测量该器件的输出特性曲线（Id-Vd），为何曲线是开口向上的抛物线」