A 等人描述了升高的形成温度会加速 SEI 的形成，从而导致形成时间缩短。45在 40 °C 下形成 SEI 会产生一个由致密的无机组分组成的层，而不是不太致密的有机结构。Bhattacharya 等人在 25 °C 和 60 °C 下进行形成。189他们比较了 SEI 层的形态和组成，并得出结论，由于扩散速率较高，在较高温度下形成会导致层更加均匀。他等人详细阐述了与 50 °C 形成相比，在 25 °C 下形成导致形成期间和之后的总内阻更低。190在 50 °C 时，形成时间缩短至 15 小时，而 25 °C 时的形成时间超过 16.5 小时。 Heimes 等人通过研究温度对形成时间的影响发现了类似的关系。188图 9 显示了在不同温度和压力下形成的结果。图 9A 和 B 显示，随着温度的升高，过电位减小，形成时间缩短。作者描述说，较高的环境温度增加了隔膜中电解质的有效电导率，提高了活性材料中的固体扩散率，并降低了电荷转移电阻，从而提高了反应速率并降低了内阻。因此，可以通过提高温度来减少形成时间。 与表明高温优势的研究相反，Lee 和 Pyun 描述说，随着地层温度的升高，容量损失也会增加。191他们得出的结论是，在高温下，SEI 的形成具有更多的缺陷，导致溶剂共插层的传输途径更多。此外，Li 的形成2CO3伴随着气体逸出，这会损坏 Gr 层。这与广泛的后续研究相反，研究了在不同温度下形成 SEI 的微观结构。189本研究表明，在 60 °C 下形成时，SEI 形貌更加均匀，表面组成差异显著。研究发现，在较高温度下形成或预处理也可能是有益的。 Ellis 等人发现，当他们在形成循环期间改变温度和 CV 步长时，形成方案对 SEI 厚度或长期循环行为没有显着影响。192Moretti 还分析了 SEI，在比较两种形成方案时发现没有重大成分差异，其中第一次充电分别在 20 °C 和部分在 40 °C 下进行。156 高温已被证明有助于通过提高副反应速率来缩短形成时间。然而，关于细胞质量的可能改善存在相互矛盾的结果。已经观察到由于容量损失而产生的负面影响和由于界面均匀性改善而产生的积极影响。 总结温度对形成SEI的影响

已完成理解「A 等人描述了升高的形成温度会加速 SEI 的形成，从而导致形成时间缩短。45在 40 °C 下形成 SEI 会产生一个由致密的无机组分组成的层，而不是不太致密的有机结构。Bhattacharya 等人在 25 °C 和 60 °C 下进行形成。189他们比较了 SEI 层的形态和组成，并得出结论，由于扩散速率较高，在较高温度下形成会导致层更加均匀。他等人详细阐述了与 50 °C 形成相比，在 25 °C 下形成导致形成期间和之后的总内阻更低。190在 50 °C 时，形成时间缩短至 15 小时，而 25 °C 时的形成时间超过 16.5 小时。 Heimes 等人通过研究温度对形成时间的影响发现了类似的关系。188图 9 显示了在不同温度和压力下形成的结果。图 9A 和 B 显示，随着温度的升高，过电位减小，形成时间缩短。作者描述说，较高的环境温度增加了隔膜中电解质的有效电导率，提高了活性材料中的固体扩散率，并降低了电荷转移电阻，从而提高了反应速率并降低了内阻。因此，可以通过提高温度来减少形成时间。 与表明高温优势的研究相反，Lee 和 Pyun 描述说，随着地层温度的升高，容量损失也会增加。191他们得出的结论是，在高温下，SEI 的形成具有更多的缺陷，导致溶剂共插层的传输途径更多。此外，Li 的形成2CO3伴随着气体逸出，这会损坏 Gr 层。这与广泛的后续研究相反，研究了在不同温度下形成 SEI 的微观结构。189本研究表明，在 60 °C 下形成时，SEI 形貌更加均匀，表面组成差异显著。研究发现，在较高温度下形成或预处理也可能是有益的。 Ellis 等人发现，当他们在形成循环期间改变温度和 CV 步长时，形成方案对 SEI 厚度或长期循环行为没有显着影响。192Moretti 还分析了 SEI，在比较两种形成方案时发现没有重大成分差异，其中第一次充电分别在 20 °C 和部分在 40 °C 下进行。156 高温已被证明有助于通过提高副反应速率来缩短形成时间。然而，关于细胞质量的可能改善存在相互矛盾的结果。已经观察到由于容量损失而产生的负面影响和由于界面均匀性改善而产生的积极影响。 总结温度对形成SEI的影响」