通过化合物间的不等价取代，可产生四类点缺陷包括阳离子空位、阳离子填隙、阴离子空位、阴离子填隙。结合具体化合物间的不等价取代，针对这四类点缺陷分别写出其缺陷方程(各写出两个)。

化合物间的不等价取代是产生点缺陷的重要途径之一，这些点缺陷包括阳离子空位、阳离子填隙、阴离子空位和阴离子填隙。这些缺陷对材料的物理化学性质有显著影响，例如影响材料的电导性、扩散性等。下面将针对这四类点缺陷，结合具体的化合物间的不等价取代，分别给出两个缺陷方程的例子。

😊阳离子空位的缺陷方程

阳离子空位产生：在化合物中，当高价阳离子取代低价阳离子时，由于电荷不平衡，会产生阳离子空位。例如，在YF3中加入NaF时，由于Na⁺的价数低于Y³⁺，会产生阳离子空位以平衡电荷。其缺陷反应方程式可以表示为： $ \text{NaF} + \text{V}{\text{Y}}^{\prime\prime\prime} \rightarrow \text{Na}{\text{Y}} + \text{V}_{\text{Y}}^{\prime} $ 其中，V_Y''表示高价阳离子空位，V_Y'表示低价阳离子空位。

另一个例子：在FeO中加入CuO时，由于Cu²⁺取代了Fe²⁺，会产生阳离子空位： $ \text{CuO} + \text{FeO} \rightarrow \text{Cu}{\text{Fe}} + \text{V}{\text{Fe}} + \text{O}_{2}^{\prime} $ 这里，V_Fe表示铁的阳离子空位。

😊阳离子填隙的缺陷方程

阳离子填隙产生：当低价阳离子被高价阳离子取代时，除了产生阳离子空位外，还可能产生阳离子填隙以保持电中性。例如，在ZnO中加入Li₂O时，由于Li⁺的价数低于Zn²⁺，会产生阳离子填隙： $ \text{Li}2\text{O} + \text{ZnO} \rightarrow 2\text{Li}{\text{Zn}} + \text{V}{\text{Zn}}^{\prime} + \text{O}{\text{O}}^{\prime} $ 这里，Li_Zn表示填隙的锂离子。

另一个例子：在TiO₂中加入Nb₂O₅时，由于Nb⁵⁺的价数高于Ti⁴⁺，会产生阳离子填隙： $ \text{Nb}2\text{O}5 + 5\text{TiO}2 \rightarrow 2\text{Nb}{\text{Ti}} + 5\text{V}{\text{Ti}}^{\prime\prime} + 5\text{O}{\text{O}}^{\prime} $ 这里，Nb_Ti表示填隙的铌离子。

😊阴离子空位的缺陷方程

阴离子空位产生：在化合物中，当低价阴离子取代高价阴离子时，会产生阴离子空位。例如，在MgO中加入CaO时，由于O²⁻的价数低于Ca²⁺，会产生阴离子空位： $ \text{CaO} + \text{MgO} \rightarrow \text{Ca}{\text{Mg}} + \text{V}{\text{O}} + \text{Mg}^{\prime} $ 这里，V_O表示氧的阴离子空位。

另一个例子：在Al₂O₃中加入Cr₂O₃时，由于O³⁻的价数低于Cr³⁻，会产生阴离子空位： $ \text{Cr}_2\text{O}3 + 2\text{Al}2\text{O}3 \rightarrow 2\text{Cr}{\text{Al}} + 6\text{V}{\text{O}} + 3\text{O}{2}^{\prime} $ 这里，V_O表示氧的阴离子空位。

😊阴离子填隙的缺陷方程

阴离子填隙产生：当高价阴离子取代低价阴离子时，会产生阴离子填隙。例如，在SiO₂中加入GeO₂时，由于Si⁴⁺的价数低于Ge⁴⁺，会产生阴离子填隙： $ \text{GeO}_2