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6、紧密接触的半导体材料达到热平衡的标志是
1周前
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深入研究一些
紧密接触的半导体材料达到热平衡的标志是材料内部的电子和空穴在热力学平衡下的分布状态。
11
热平衡标志
电中性条件
:半导体中的正负电荷相等,满足电中性条件。
9
载流子浓度
:热平衡状态下,半导体中的载流子浓度是一定的,不受外界电场或光照影响。
3
能带结构
:热平衡状态由温度和能带结构决定,材料内部电子和空穴的分布达到稳定。
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无外部作用
:没有外部电场或电流通过,材料内部达到稳定状态。
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非平衡载流子
:热平衡状态下不存在非平衡载流子,只有非平衡载流子才是电子空穴同时产生的。
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半导体材料的基本特性是什么?
热平衡对半导体性能有何影响?
半导体中的载流子如何分布?
热平衡下的载流子浓度?
电中性条件如何影响半导体?
能带结构如何影响热平衡?
由于半导体的特性受环境温度的影响较严重,必须对霍尔元件的特性进行( )补偿。
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