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光刻胶旋涂前如何处理衬底

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深入研究一些

衬底清洗与准备

  • 清洗目的:去除不属于衬底的物质,优化光刻胶的浸润和附着力15
  • 清洗方法:根据污染物种类选择,如脱附水汽、异丙醇漂洗、丙酮两步法等5
  • 避免处理:注意避免使用氧等离子体处理,以防损伤衬底5

衬底表面处理

  • 预处理:在涂光刻胶前,衬底可能需要进行湿氧化,温度在900-1100度,形成氧化层4
  • 底胶涂覆:某些情况下,进行预烘和底胶涂覆以去除溶剂,增强光刻胶与衬底的粘附性3

旋涂工艺优化

  • 滴胶位置:将光刻胶滴在衬底中心位置,有助于改善涂胶效果6
  • 旋涂转速:控制从低速到高速的加速度,影响涂胶的均匀性6

其他注意事项

  • 喷涂工艺:在某些情况下,使用喷涂工艺通过雾化沉积光刻胶,液滴尺寸在微米范围内7
  • 避免污染:在处理过程中,避免引入新的污染物,确保衬底表面清洁。

一句话总结问题的答案:在光刻胶旋涂前,衬底需经过清洗去除污染物、可能的湿氧化预处理、底胶涂覆以及优化旋涂工艺等步骤,以确保光刻胶与衬底的良好粘附和均匀涂覆。134567

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以上内容由AI搜集生成,仅供参考

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