SicMOSFET功率循环测试原理图

SiC MOSFET功率循环测试是一种评估器件在重复承受规定应力条件下的可靠性的方法。测试原理图通常包括特定的电路配置和栅极电压开关序列。

测试电路配置

• 功率循环试验电路：建议采用图2所示的配置，其中包括SiC MOSFET的体二极管作为反向二极管1。
• 栅极电压开关序列：如图3所示，在时间点0和$t_1$之间，1导通，2关断，栅极加正电压，SiC MOSFET器件导通并升温1。

测试目的

• 可靠性评估：通过重复的功率循环，评价SiC MOSFET在规定应力条件下是否符合规定的循环次数2。

应用领域

• 广泛应用：SiC MOSFET广泛应用于电动汽车充电器、光伏发电系统中的功率调节器、服务器电源、空调等多个领域3。

测试方法

• 直流功率循环设置：提出了一种通用化的直流功率循环设置设计方法，供实践工程师使用，包括确定结温测量方法以消除重新校准过程8。

测试内容

• 瞬态热阻测试：本期视频介绍了SiC MOSFET器件的瞬态热阻测试和功率循环测试，包括测试接线方法、设置参数、测试过程展示和数据后处理分析9。

测试电路及控制方法

• 测试电路组成：包括旁路开关AS、负载电流源Iload、被测器件Q1_1～Qm_n、支路二极管D1～Dm、驱动电路等6。

测试原理

• 功率循环定义：功率循环是指让芯片在间歇性通电的过程中产生热量，使芯片温度发生波动的过程，对IGBT模块损伤主要源于铜绑线和芯片表面7。

以上要点概述了SiC MOSFET功率循环测试的原理图及相关测试信息。