测试电路包括SiC MOSFET的体二极管，以及特定的功率循环试验电路和栅极电压开关序列。"建议采用如图2所示的 SiC MOSFET 的功率循环试验电路以及图 3 所示的栅极电压开关序列"

SiC MOSFET 测试电路配置

• 功率循环试验电路：建议采用特定的配置，如图2所示，包括SiC MOSFET的体二极管以及相关的测试组件。13
• 栅极电压开关序列：图3展示了栅极电压的开关序列，这在测试中是关键的，以确保MOSFET体二极管的正确测试。13

体二极管特性与测试

• 体二极管正向偏置：在SiC-MOSFET中，体二极管在源极施加负电压时为正向偏置状态，Vgs=0V时的绿色曲线显示了体二极管的Vf特性。2
• 反向恢复特性：SiC MOSFET体二极管的反向恢复特性与桥式电路损耗密切相关，通过双脉冲测试可以评估这一特性。6
• 温度特性测量：利用体二极管的温度特性在小电流下进行结温测量，通过栅极电压控制MOSFET的开关状态以建立稳定的二极管电压。9

设计与应用考量

• 栅极驱动设计：地参考和高侧栅极驱动电路的设计对于同步整流器应用中的MOSFET栅极驱动至关重要。517
• 功率循环测试：提出的电路结构可以实现SiC MOSFET功率循环测试中对阈值电压和温度的在线监测，无需增加额外电流源。16
• 正向导通电压：体二极管的正向导通电压VSD在测试时通过特定的电流和电压条件进行测量，其规范通常在[0,1.5V]范围内。10

结论

SiC MOSFET的测试电路设计需考虑功率循环试验电路、栅极电压开关序列以及体二极管的特性。通过这些测试可以评估MOSFET的反向恢复特性、结温测量以及正向导通电压等关键参数，确保器件在高功率应用中的性能和可靠性。